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9月4日，在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微公司宣布推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝。

在CSEAC 2025的開幕式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯在主旨報(bào)告環(huán)節(jié)宣布了上述六款新設(shè)備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進(jìn)性能與獨(dú)特優(yōu)勢。他介紹，中微公司始終以市場與客戶需求為導(dǎo)向，持續(xù)加大研發(fā)力度。公司2025年上半年研發(fā)投入達(dá)14.92億元，同比增長約53.70%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為30.07%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均研發(fā)投入水平。

“目前，公司在研項(xiàng)目涵蓋六大類、超二十款新設(shè)備，研發(fā)速度實(shí)現(xiàn)跨越式提升 ——過去一款新設(shè)備的開發(fā)周期通常為3到5年，如今僅需2年甚至更短時(shí)間就能推出極具市場競爭力的產(chǎn)品并順利落地?！币緢蛘劦?。

具體來看新產(chǎn)品，在刻蝕技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┝祟I(lǐng)先和高效的解決方案。其中，中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)Primo UD-RIE?基于成熟的 Primo HD-RIE?設(shè)計(jì)架構(gòu)并全面升級(jí)，配備六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

同步亮相的Primo Menova? 12 寸ICP單腔刻蝕設(shè)備，專注于金屬刻蝕領(lǐng)域，尤其擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設(shè)備。今年6月，該設(shè)備的全球首臺(tái)機(jī)已付運(yùn)到客戶認(rèn)證，進(jìn)展順利，并和更多的客戶展開合作。

在此次新品發(fā)布中，中微公司推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品 Preforma Uniflash?  金屬柵系列，成為薄膜沉積領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)。該系列涵蓋Preforma Uniflash? TiN、Preforma Uniflash? TiAI及Preforma Uniflash? TaN三大產(chǎn)品，能夠滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。

中微公司在新興技術(shù)領(lǐng)域的布局同樣受到關(guān)注。據(jù)公司相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，公司發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設(shè)備PRIMIO Epita? RP，憑借獨(dú)特設(shè)計(jì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。作為目前市場上獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備，其反應(yīng)腔體積為全球最小，且可靈活配置多至6個(gè)反應(yīng)腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設(shè)備搭載擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的雙腔設(shè)計(jì)、多層獨(dú)立控制氣體分區(qū)，以及具備多個(gè)徑向調(diào)節(jié)能力的溫場和溫控設(shè)計(jì)，確保了優(yōu)秀的流場與溫場均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應(yīng)性和兼容性，該設(shè)備可滿足從成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、存儲(chǔ)和功率器件等多領(lǐng)域外延工藝需求。去年8月，該設(shè)備已付運(yùn)到客戶進(jìn)行成熟制程和先進(jìn)制程驗(yàn)證，進(jìn)展順利。

資料顯示，作為國內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備制造的領(lǐng)軍者，中微公司等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米、5納米及其他先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。其中，CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP電感性低能等離子體刻蝕機(jī)可覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應(yīng)用需求。截至2025年6月底，公司累計(jì)已有超6800臺(tái)等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設(shè)備的反應(yīng)臺(tái)，在國內(nèi)外155條生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。